我院张杰博士在半导体刻蚀距离效应研究方面取得进展，相关成果“Tip−Substrate Distance-Dependent Etching Process of III−VSemiconductors Investigated by Scanning ElectrochemicalMicroscopy”发表在The Journal of Physical Chemistry C（J. Phys. Chem. C 2019, 123, 25712-25718.）
基于半导体的纳米制造在微机电系统、大规模集成电路、光电和光伏器件等领域都有着巨大应用。基于接触模式的超精密机械加工和基于高能束的激光和聚焦离子束直写都不可避免的对脆性半导体材料造成表面损伤和成分改变。基于电化学诱导的微区化学刻蚀具有化学反应温和、无热效应、非接触、无掩膜的优点。然而电化学诱导化学刻蚀涉及刻蚀反应与钝化反应的耦合，同时针尖基底距离也将显著改变反应耦合效应，从而影响刻蚀效率与分辨率。张杰博士课题组将微区刻蚀形貌分析与有限元模拟相结合，研究针尖基底距离与微区刻蚀反应和钝化反应的耦合关系。结果表明刻蚀分辨率主要受针尖基底距离控制，而刻蚀效率主要受刻蚀反应速率控制。因此当钝化反应可以忽略时，纳米尺度的针尖基底距离是高刻蚀效率和分辨率的保障。当钝化效应十分显著时，合适的针尖基底距离以保障钝化产物的扩散，同时牺牲一部分刻蚀分辨率是必要的。上述研究方法与结论对电化学微纳加工技术的工艺优化具有指导作用。
半导体刻蚀距离效应
该工作主要由张杰博士与厦门大学詹东平教授团队合作完成，第一单位为湖南科技大学，我院本科生郭佳瑶和陈锻参与了部分实验工作。该工作得到了国家自然科学基金项目（51605404）；湖南省自然科学基金项目（2018JJ3142）的资助。
全文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpcc.9b07335
张杰博士个人简介：http://chem.hnust.edu.cn/szdw/hx/111768.htm
